DRAM 與 refresh 機制

DRAM 這種記憶體需要持續地 refresh 方能記住資料。每一個 bit 都是由 一個電晶體與一個電容所構成。若電容內充了電,則資料為 "1" ,否則資料為 "0"。電晶體適用來讀取電容內容所用。而由於使用了電容作為儲存單位,必須 有一些輔助電路來做 refresh 的動作,也就是保持電容的充電狀態。為了維持 電容的充電狀態(也就是資料),refresh 輔助電路在一秒鐘內可能會進行上千 次的補充動作。

記憶體晶片則是設計成行與列的形狀,因此,進行 refresh 時是一列列進 行的。而由於其記憶單位在電路方面設計因素,只要去進行一次讀取,就算是 成了一次refresh 的動作了。

SRAM 與 DRAM 有何不同

SRAM (Static RAM) 與 DRAM 的主要不同之處是在於 SRAM 永遠會記得它的 內容,不用進行 refresh 這個動作。這是因為其內部電路使用了不同的元件。 SRAM 裡面,每個 bit 都是由四至六個電晶體組成的,沒有需要充電的元件。不 像 DRAM 有用到電容。

這兩者的不同點各有長短。DRAM 比較小,而且也便宜,因為裡面的元件用 的比較少。一般說來 DRAM 的面積約為 SRAM 的四分之一。不過 SRAM 的設計比 較簡單,因為你無須替他設計 refresh 電路,速度也比 DRAM 還快。但因為比 較昂貴,所以在 PC 上面所使用的記憶體都是 DRAM。